由于構造較為簡單僅需一個觸發(fā)電路就能進行工作，雙向可控硅能夠作為較為理想的交流開關器件來使用，應用范圍在近幾年來有逐漸增大的趨勢。本文將對確保閘流管和雙向可控硅順利**工作的十個條件進行介紹，幫助大家完善設計。

準則1

為了導通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT，直至負載電流達到≧IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的*低溫度考慮。

準則2

要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負載電流必須間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的*高運行溫度下必須滿足上述條件。

準則3

設計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）。

準則4

為減少雜波吸收，門極連線長度降至*低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

規(guī)則5

若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。

準則6

假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：

負載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側增加濾波電路。

準則7

選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以*大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

準則8

若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上*好串聯(lián)一個幾μH的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。

準則9

器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

準則10

為了長期可靠工作，應保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應于可能的*高環(huán)境溫度。

本文羅列出了十條對于閘流管和雙向可控硅工作非常有益的建議。大家在使用閘流管或者雙向可控硅之前可以不妨花上幾分鐘來閱讀本文，相信會有意想不到的收獲，從而幫助大家全方位的了解雙向可控硅并節(jié)約設計成本。